东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
发布时间：2023-3-30 18:03
发布者：eechina
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6]，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与TPH9R00CQH相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的EMI。 该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance（N）封装。 此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。 东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外，新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。 东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线，以降低功率损耗、提高电源效率，并助力改善设备效率。 应用 - 工业设备电源，如用于数据中心和通信基站的电源 - 开关电源（高效率DC-DC转换器等） 特性 - 业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V） - 业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs） - 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs） - 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃ 主要规格 （除非另有说明，Ta＝25℃）
参考设计：“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器” 
参考设计：“采用MOSFET的3相多电平逆变器” 
注： [1] 截至2023年3月的数据。 [2] 截至2023年3月，与其他150V产品的对比。东芝调查。 [3] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。 [4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。 [5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。 [6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。 如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址： TPH9R00CQ5 https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TPH9R00CQ5.html 如需了解新产品的更多相关内容，请访问以下网址： U-MOS X-H系列150V MOSFET是高效率开关电源的理想选择 https://toshiba-semicon-storage. ... power-supplies.html 通过搭载了150V MOSFET的多电平逆变器来提高效率 https://toshiba-semicon-storage. ... th-150v-mosfet.html 如需了解东芝MOSFET产品的更多信息，请访问以下网址： MOSFETs https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html 如需了解有关新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址： TPH9R00CQ5 https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TPH9R00CQ5.html | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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