中科院：首款自主相变存储器芯片研制成功
发布时间：2011-4-19 22:38
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自主相变存储器
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记者17日从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。 据专家介绍，此款PCRAM芯片将可取代传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。 我国半导体存储器市场规模目前已接近1,800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠表示,PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的 DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性,而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势,被认为是下一代非 挥发存储技术的最佳解决方案之一。 目前,英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司均在PCRAM产业化进程中取得有效进展,其中美光有多款替代NOR FLASH的产品,三星已研制出最大容量为512Mb的PCRAM试验芯片,并投入量产,在手机存储卡中开始应用。 上海微系统与信息技术研究所已制成的PCRAM试验芯片存储容量为8Mb,在8英寸硅片上的每一块存储芯片,存储单元成品率达99%以上。经语音演示,已证 实该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至2010年底,该款PCRAM相变存储器已经获得50多项发明专利授权,150多项专利公开,相关专利分 布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。专家表示,此款PCRAM芯片将可取代NOR FLASH等传统存储器,广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。 宋志棠介绍说,中国半导体存储器市场规模目前已接近1,800亿元,但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术,国内存储器生产成本极为高昂。“PCRAM相变存储器自主研制成功,使我国的存储器芯片生产真 正摆脱国外的技术垄断。”他表示,该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产,“我们计划在10年内,将中国的存储器自给率提高到60%”。 |
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