Ramtron发布具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存储器
发布时间：2011-3-14 12:39
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关键词：
Ramtron , 串并口F-RAM存储器
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Ramtron International Corporation (简称Ramtron)发布W系列 F-RAM存储器，W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口，能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如有功电流（active current）需求降低了25%至50%，串口器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256 和 FM25W256器件分别带有256-Kbit 串口I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件则带有一个并行通信接口。 Ramtron公司标准存储器市场推广经理 Mike Peters 表示：“W系列 F-RAM存储器具有宽工作电压范围，可帮助系统设计人员降低有功电流，提高系统性能。系统能够检测早期功耗，控制器的数据写入电压可降至2.7V，从而保护重要数据免受毁坏或丢失。W系列的宽工作电压范围带来更高的灵活性，能够最大限度地减少客户所需的库存元件数量。” 关于W系列F-RAM存储器 W系列 F-RAM存储器为先前使用64K至256K F-RAM器件的客户提供了一种设计替代方案，该系列产品基于先进的高可靠性铁电工艺，具有无延迟 (NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数 (100万亿次-10e14)以及38年数据保存期等特性。这些新推器件采用业界标准“绿色”封装，其中串口器件采用8脚SOIC封装，并口器件采用28引脚SOIC封装。W系列非常适合需要频繁或快速写入数据或实现低功耗工作的非易失性存储器应用，应用范围从高频数据采集直到要求严苛的工业控制应用。而在这些应用中， EEPROM的写入周期很长，可能造成数据丢失，因而并不适用。W系列中串口SPI器件采用Ramtron的 F-RAM技术，能够实现全速总线写入，确保在-40°C 至 +85°C的工业温度范围正常工作。 
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