泛林集团推出晶圆应力管理解决方案以支持3D NAND技术的持续发展
发布时间：2019-8-16 09:30
发布者：eechina
半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布推出全新解决方案，帮助客户提高芯片存储密度，以满足人工智能和机器学习等应用的需求。通过推出用于背面薄膜沉积的设备VECTOR DT和用于去除背面和边缘薄膜的湿法刻蚀设备EOS GS，泛林集团进一步拓展了其应力管理产品组合。
高深宽比沉积和刻蚀工艺是实现3D NAND技术持续发展的关键因素。随着工艺层数的增加，其累积的物理应力越来越大，如何控制由此引起的晶圆翘曲已成为制造过程中的一个主要挑战。严重的晶圆翘曲会影响光刻焦深、层与层之间的对准、甚至导致图形结构畸变，从而降低产品的良率。为了提高整体良率，需要对整个制造工艺中多个步骤在晶圆、晶片和图形层面的应力进行细致管理，甚至因此放弃一些可提升产品性能的工艺步骤。 VECTOR DT系统是泛林集团等离子体增强化学气相沉积（PECVD）产品系列的最新产品，旨在为控制3D NAND制造中的晶圆翘曲提供一种高性价比的解决方案。在完全不接触晶圆正面的情况下，VECTOR DT可在晶圆背面沉积一层可调节、高应力、高质量的薄膜，一步到位地拉平翘曲的晶圆，改善光刻结果，减少由翘曲引起的诸多问题。VECTOR DT问世之初便得以广泛采用，随着主流3D NAND产品向96层以上推进，其机台安装数量将会持续增长。 除了沉积高应力薄膜，泛林集团还提供了背面刻蚀的技术，客户可根据工艺需要，在3D NAND制造流程中灵活地调整晶圆应力。泛林集团的湿法刻蚀产品EOS GS拥有业界领先的湿法刻蚀均匀度，能在充分保护晶圆正面的前提下，同时去除背面和边缘的薄膜，与VECTOR DT形成有力互补。作为晶圆翘曲管理解决方案的一部分，泛林集团的EOS GS也被全球存储芯片制造商广泛采用。 泛林集团副总裁兼沉积产品事业部总经理Sesha Varadarajan表示：“随着客户产品的存储单元层数持续、大幅的增加，累积应力和晶圆翘曲会超过光刻设备处理能力的极限。为了达到预期良率，实现单位字节成本降低的路线图，将应力引起的畸变降至最低至关重要。伴随VECTOR DT和EOS GS产品的推出，我们扩大了现有的应力管理解决方案组合，能够全面管理晶圆生产中的应力，支持客户纵向技术的持续发展。” |
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