[转] PCB布局前的准备-经验总结
发布时间：2018-4-16 16:48
发布者：嵌入式之家666
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布局前的准备: 1查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025. 2Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查. 3布局前考虑好出PIN的方向和位置 4布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起 5对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 布局时注意: 6更改原理图后一定记得check and save 7完成每个cell后要归原点 8DEVICE的个数是否和原理图一至；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。 9如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.最好在布局低层cell时就连起来。 10尽量用最上层金属接出PIN。 11 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间. 12 金属连线不宜过长； 13 电容一般最后画，在空档处拼凑。 14 小尺寸的mos管孔可以少打一点. 15 LABEL标识元件时不要用y0层，GDS文件不认。 16 管子的沟道上不要走线 17 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联. 18 多晶硅不能两端都打孔连接金属。 19 一般打孔最少打两个 20 薄氧化层是否有对应的植入层 21 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间. 22 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度 23 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。 24 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。 25 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造. 26 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接。 27 Pad的pass窗口的尺寸画成整数. 28 连接Esd电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层 29 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。 1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置） 21 中心匹配最佳。 30 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳. 31 关于powermos ① powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接，最好把整个powermos覆盖 ② 几种缩小面积的画法。 32 金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向 33 低层cell的pin,label等要整齐.不要删掉以备后用. 出错检查: 34 DEVICE的各端是否都有连线；连线是否正确； 35 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线，特别注意VSSX，VDDX 36 查线时用SHOTS将线高亮显示，便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。 37 多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um，即两根电阻间距的一半。 38 无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起 39 并联的管子注意漏源合并，不要连错线。一个管子的源端是另一个管子的漏端 40 做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。Text2的名称要和该pin的名称一样. 41 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE. 42 消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移到最边缘的电阻，不要覆盖dummy 节省面积的途径 43 电源线下面可以画有器件.节省面积. 44 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用。 45 电阻的长度画越长越省面积。 46 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度. 47 做新版本的layout图时，旧图保存，不要改动或删除。减小面积时如果低层CELL的线有与外层CELL相连，可以从更改连线入手，减小走线面积。 48 版图中面积被device，device的间隔和走线空间分割。减小面积一般从走线空间入手，更改FLOORPLAN 余工Q 二八五九七八零二零三 |
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