Vishay 推出业内首先采用MicroSMP封装的TMBS整流器系列

发布时间:2017-7-20 17:37    发布者:eechina
关键词: TMBS , 整流器
1A和2A器件的高度为0.65mm,正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率

Vishay 新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压从45V到150V,其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。

Vishay_20170720_eSMP系列Mic.jpg

目前,2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流,从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm,高度0.65mm,比SOD123W薄35%,同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能,MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。

1A整流器的正向压降为0.36V,2A器件的正向压降为0.40V,够减少功率损耗,提高效率。针对低压高频逆变器,DC/DC转换器,续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本,可用于汽车应用。

新整流器的最高工作结温达+175℃,潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级,LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装,符合RoHS,无卤素。

器件规格表:
产品编号IF(AV) (A)VRRM (V)IFSM (A)VF at IF and TJ最高TJ  (°C)
VF (V)IF (A)TA (°C)
V1P6
1
60
25
0.45
1
125
150
V2P6
2
60
30
0.51
2
125
150
V1PL45
1
45
25
0.36
1
125
150
V2PL45
2
45
30
0.4
2
125
150
V1PM10
1
100
25
0.58
1
125
175
V2PM10
2
100
30
0.62
2
125
175
V1PM12
1
120
25
0.61
1
125
175
V2PM12
2
120
30
0.65
2
125
175
V1PM15
1
150
25
0.64
1
125
175
V2PM15
2
150
30
0.68
2
125
175

新的TMBS整流器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。

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