格罗方德公布7nm研发进度：明年量产 秒杀英特尔
发布时间：2017-6-26 09:57
发布者：eechina
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来源：PConline 近日，GlobalFoundries（格罗方德）公布了7nm的进度、技术指标和量产安排，令半导体界为之一振。 
GlobalFoundries因为缩写为GF、同时曾经被AMD拥有、至今也是AMD最主要的代工伙伴，所以即使“卖身”到了中东，也还是被硬件爱好则会亲切地称为“AMD女友”。 虽然Intel、三星、台积电等对手都选择用在14nm之后用10nm过度一代，但GF却直奔7nm。 
今天，Anandtech公开了全球六大代工厂的官方制程路线图，可以看到，台积电和GF的7nm最快，都能在2018年量产。 
不过，GF为7nm划分了三代，第一代是DUV（深紫外光刻），而导入EUV（极紫外光刻）需要到2019年。 
技术指标上，GF的第一代/第二代7nm相较14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗，芯片成本降低30%。 
DUV和EUV在细节指标上的区分还是很大，比如DUV的氩氟(ArF)准分子激光波长是193nm，而EUV只有13.5nm。 
回到进度对比上，Intel实在是有些难堪，1个10nm要用到2020年，那时AMD基于7nm的Zen 2/3都应该发布了。 |
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