新数据存储新技术有望取代NAND闪存

2009年05月21日 12:05    莫须有
关键词: NAND , 闪存 , 数据存储 , 新技术
  美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术,并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。

  这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说,新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍,存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。

  NAND型闪存因为存储容量大等特点,目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为,NAND型闪存未来可能遭遇物理极限,容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示,其制造的新型存储器旨在充当闪存的替代品和“接班人”。

  该公司介绍说,新技术主要基于带电离子在特定材料之间的运动来实现信息的存储,其存储单元不像闪存需要采用晶体管,因此在存储密度等方面比闪存更有优势。

  “统一半导体”是一家创业公司,2002年创立至今共获得约7500万美元风险投资。它计划于2010年下半年试生产容量达64G的新型存储器,并打算2011年第二季度将其投入量产。

  一些业内人士认为,新产品能否在价格上真正具有竞争力,将是“统一半导体”需要面对的考验之一。此前也有公司尝试推出NAND型闪存的替代产品,但都未能解决成本过高的问题。

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