英飞凌推出新一代超结MOSFET,欲树立硬开关应用基准

2009年06月23日 15:06    admin
关键词: MOSFET , 基准 , 开关 , 应用 , 英飞凌

英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品 ― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势,可降低设计难度,适用于诸如PC、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)以及LCD电视和游戏机等消费应用的电源或适配器,甚至是太阳能电源市场。

英飞凌全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt介绍,C6在轻载条件下具有非常好的效率,由于具有比C3更低的导通电阻、更小的输出电容、更稳健的体二极管以及更小的反向恢复电荷,使其在成本、开关损耗、质量保证等方面更有竞争优势。Thomas Schmidt强调,CoolMOS C6系列将成为硬开关应用的基准。另一方面,存储在输出电容中的极低电能和出类拔萃的硬换流耐受性,使C6器件成为谐振开关产品的理想选择。因此,C6的面市也将使C3在未来2至3年内逐渐退市。

但由于500/600V CP系列可满足服务器、电信电源等应用更低开关损耗和更低导通电阻的需求,因此英飞凌是希望C6未来与CP系列在不同应用领域的高压MOSFET市场上两头作战。电源厂商可受益于超结CP 系列的优势——包括极低电容损耗和极低单位面积导通电阻等,设计出更高效、更紧凑、更轻更高散热效率的电源产品。与此同时,开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。相对于CP系列的设计而言,CoolMOS C6简化了PCB系统布局。具体而言,这意味着在CoolMOS C6系列内,栅极电荷、电压/电流斜率和内部栅极电阻达到了优化和谐状态,即使低至零欧姆的栅极电阻,也不会产生过高的电压或电流斜率。而C6器件具备出色的体二极管硬换流抗受能力,因此可避免使用昂贵的快速体二极管组件,也可使诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等功率转换产品的功效得到大幅提升。

C6系列是英飞凌推出的第五代CoolMOS超结MOSFET,它同时拥有包括超低单位面积导通电阻在内的补偿器件的优势。据了解,超结(superjunction)技术因为在导通时可使载流子更快速流动,因此比诸如IR HEXFET等结构具有更高效率。而目前在超结功率器件领域的玩家还包括ST、飞兆和日本东芝。Thomas Schmidt自信地表示,英飞凌从1990年就已开始提供其第一代超结功率器件,因此在超结功率技术上具有领先优势,他认为其他厂商在超结功率产品的未来研发过程中一定会重复英飞凌所遇到过的困难。

另外,业界对GaN功率市场摩拳擦掌,但《电子工程专辑》记者了解到英飞凌未在GaN功率器件上有任何动作。Thomas Schmidt对此解释道,英飞凌其实也对GaN技术非常关注,因为IR承诺GaN功率技术能大幅度降低功率器件的成本,只可惜相关产品的面市一再拖延,因此对GaN功率技术目前还处于观望期。

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