低导通电阻TrenchFET功率 MOSFET(Vishay)

2008年12月24日 14:12    admin
关键词: MOSFET , TrenchFET , Vishay , 电阻 , 功率
Vishay推出新型20V 和30V的p沟道TrenchFET功率 MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8 封装,具有 ±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻

现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24毫欧,而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 m毫欧(10 V 下)及 5.5 毫欧(4.5 V下)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类 30V 器件低 27%(10V下)和 28% (4.5V 下),比最接近的同类 25V SO-8 器件分别低  28% 和 15%。30V Si7135DP 的导通电阻为 3.9 毫欧(10V下) 和  6.2毫欧(4.5V 下),比最接近的同类器件分别低13%和19.5% 。这次推出的两款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封装,可容许比其他 SO-8 封装器件高 60% 的最大漏电流和高 75% 的最大功率损耗。

这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态,消耗电流。Si7633DP 和Si7135DP的低导通电阻能耗低,节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

Vishay 还推出了采用 SO-8 封装的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。该器件具有 5 毫欧(在 10 V 时)和 7.75毫欧(在4.5 V 时)的导通电阻。此次推出的所有器件 100% 通过 Rg 和 UIS 认证,且不含卤素。

目前,该新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供样品,并已实现量产。大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
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