支持-30V至100V的电压的SOT-23功率MOSFET(IR)

发布时间:2010-7-21 11:25    发布者:嵌入式公社
关键词: 功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术,通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力,为客户的特定应用优化了性能及价格。

SOT-23.jpg

新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准,所采用的材料不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

  
器件编号
  
  
BVDSS
  
  
25°C下的最Id
  
  
10V下的
  
典型 / 最大RDS(on)
  
(m)
  
  
4.5V下的
  
典型 / 最大RDS(on)
  
(m)
  
  
典型Qg
  
  IRLML9301TRPBF
  
  -30V
  
  3.6  A
  
  51  / 64
  
  82  / 103
  
  4.8  nC
  
  IRLML9303TRPBF
  
  -30V
  
  2.3  A
  
  135  / 165
  
  220  / 270
  
  2.0  nC
  
  IRLML0030TRPBF
  
  30V
  
  5.2  A
  
  22  / 27
  
  33  / 40
  
  2.6  nC
  
  IRLML2030TRPBF
  
  30V
  
  2.7  A
  
  80  / 100
  
  123  / 154
  
  1.0  nC
  
  IRLML0040TRPBF
  
  40V
  
  3.6  A
  
  44  / 56
  
  62  / 78
  
  2.6  nC
  
  IRLML0060TRPBF
  
  60V
  
  2.7  A
  
  78  / 92
  
  98  / 116
  
  2.5  nC
  
  IRLML2060TRPBF
  
  60V
  
  1.2  A
  
  356  / 460
  
  475  / 620
  
  0.4  nC
  
  IRLML0100TRPBF
  
  100V
  
  1.6  A
  
  178  / 220
  
  190  / 235
  
  2.5  nC
  

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