华虹半导体推出018微米数模混合及嵌入式OTP/MTP工艺平台增强版
发布时间：2015-9-18 13:30
发布者：eechina
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华虹半导体有限公司今日推出最新低本高效0.18微米数模混合及嵌入式OTP/MTP工艺平台增强版（0.18CE 工艺平台增强版）。该增强型工艺平台的推出，进一步奠定了华虹半导体在蓬勃发展的微控制器（Microcontroller Unit, MCU）市场中的领先地位，并把现有0.18CE工艺平台扩展至数模混合电路及电源管理芯片领域，为拓展新的应用市场打下了坚实基础。 华虹半导体0.18CE工艺平台增强版是在0.18微米低本高效OTP（One-Time Programming）工艺平台的基础上研发升级而来。其最大优势是通过利用第三方授权的OTP Cell，并依托自身经验丰富的嵌入式存储器IP设计、制造工艺和IP测试三方面的整合能力，可为客户提供优化的OTP IP，并实现更小的OTP面积、更高的速度、更低的功耗。通过这些改进，该工艺平台在成本、性能和功耗等诸多方面具有行业领先的竞争优势。目前，已有多个国内外客户的产品进入量产。 瞄准物联网和智慧能源应用市场对低功耗MCU的庞大需求，华虹半导体又与合作伙伴联合推出了更丰富的嵌入式存储器方案。其中，OTP + LogicEE（Logic Technology Compatible EEPROM）的解决方案，以内嵌IP取代8位MCU外部成本较高的标准电可擦可编程只读存储器（EEPROM），可大幅度降低生产成本。该解决方案不仅能够大大提升读写速度，还可减少耗电量，有效延长待机时间，更能克服外挂式芯片数据容易遭到窃取的缺点，强化数据保密功能。 另外，在MTP（Multiple-Time Programming）解决方案中，客户通过MTP IP可以方便地在系统上反复修改设计程序，从而提升客户产品的功能及有效改善生产存货管理。作为OTP MCU的升级版，MTP可提供的容量由1Kx8位到 8Kx16位，其IP面积极具竞争力，可应对客户多元化和高性价比的需求。 同时，通过推出低阈值电压（Low Vt）、NPN双极结型晶体管（BJT）、 耗尽型（Depletion）、齐纳二极管（ZenerDiode）、18V LDMOS器件，华虹半导体将扩大其在数模混合电路和电源管理IC领域的产品阵容，为诸如电量计、温度传感器、智能电表、移动电源和微机电系统（MEMS）专用集成电路（ASIC），提供高性能低成本的解决方案。 华虹半导体执行副总裁范恒先生表示：“0.18CE工艺平台增强版是华虹半导体与合作伙伴共同耕耘的成果。该增强型工艺平台可为客户提供一系列创新、高性能和有竞争力的嵌入式存储器IP等完整解决方案。其产品应用广泛，可适用于可穿戴式设备、移动通讯、物联网和智慧能源。华虹半导体将继续加大研发投入，与国内外合作伙伴携手，开创进军物联网市场的新局面。” |
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