研讨会介绍

传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年，就目前来讲硅材料的发展空间很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备，其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率，在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小，从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于GaN的研究已经接近十年，公司成立于美国的加州Goleta，员工超过130人，专利超过250个，而且是目前唯一一个通过JEDEC认证的GaN的企业，FUJITSU目前与Transphorm合作为客户提供GaN HEMT的技术支持及产品。

演讲人介绍

孙国伟
孙国伟（FAE），从事半导体行业多年，拥有丰富的行业技术经验，主要方向电源管理芯片及功率器件的应用。加入富士通半导体之后，从事电源管理芯片以及功率器件的技术支持工作。