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[供应] 嵌入式 MCU:STM32F103VET6,STM32F030F4P6TR,STM32F401RCT6TR

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发表于 2025-5-21 10:58:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: STM32F103VET6 , STM32F030F4P6TR , STM32F401RCT6TR
明佳达,星际金华 供应 嵌入式 MCUSTM32F103VET6,STM32F030F4P6TR,STM32F401RCT6TR

STM32F030F4P6TR 32 位单核 MCU TSSOP20 嵌入式 MCU

产品描述
STM32F030F4P6TR 是高性能的 Arm® Cortex®-M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(多达 256 Kbytes 的闪存和多达 32 Kbytes 的 SRAM)以及广泛的增强型外设和 I/O。所有器件均提供标准通信接口(多达两个 I2C、两个 SPI 和六个 USART)、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。

功能特点
内核: Arm® 32 位 Cortex®-M0 CPU,频率高达 48 MHz
存储器
- 16 至 256 Kbytes 闪存
- 4 至 32 千字节 SRAM,带硬件奇偶校验
CRC 计算单元
复位和电源管理
- 数字和 I/O 电源: VDD = 2.4 V 至 3.6 V
- 模拟电源: VDDA = VDD 至 3.6 V
- 开机/关机复位 (POR/PDR)
- 低功耗模式: 睡眠、停止、待机
时钟管理
- 4 至 32 MHz 晶体振荡器
- 用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准功能
- 内部 8 MHz RC,带 x6 PLL 选项
- 内部 40 kHz RC 振荡器
多达 55 个快速 I/O
- 全部可在外部中断向量上映射
- 多达 55 个具有 5V 容差能力的 I/O
5 通道 DMA 控制器
一个 12 位、1.0 µs ADC(最多 16 个通道)
- 转换范围 0 至 3.6 V
- 独立模拟电源: 2.4 V 至 3.6 V
日历 RTC,带警报和从停止/待机状态定期唤醒功能
11 个定时器
- 一个 16 位高级控制定时器,用于六通道 PWM 输出
- 最多 7 个 16 位定时器,最多 4 个 IC/OC、OCN,可用于红外控制解码
- 独立和系统看门狗定时器
- SysTick 定时器
通信接口
- 最多两个 I2C 接口
- 在一个或两个 I/F 上支持快速模式增强(1 Mbit/s),带 20 mA 电流灌槽
- 支持 SMBus/PMBus(在单个输入/输出接口上)
- 最多 6 个 USART,支持主同步 SPI 和调制解调器控制;其中一个具有自动波特率检测功能
- 最多两个 SPI(18 Mbit/s),带 4 至 16 个可编程位帧

STM32F401RCT6TR 84MHz 32 位单核微控制器

产品描述
STM32F401RCT6TR 基于高性能的 Arm® Cortex® -M4 32 位 RISC 内核,工作频率高达 84 MHz。Cortex®-M4 内核具有单精度浮点运算单元 (FPU),支持所有 Arm 单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了全套 DSP 指令和内存保护单元 (MPU),从而提高了应用的安全性。

功能特点
具有 BAM(批量采集模式)的动态效率线
- 1.7 V 至 3.6 V 电源
-40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围
内核 Arm® 32 位 Cortex®-M4 CPU,带 FPU、自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从闪存执行 0 等待状态,频率高达 84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/ 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令
内存
- 高达 256 Kbytes 的闪存
- 512 字节 OTP 存储器
- 多达 64 千字节的 SRAM
时钟、复位和电源管理
- 1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O
- POR、PDR、PVD 和 BOR
- 4-26 MHz 晶体振荡器
- 内部 16 MHz 工厂微调 RC
- 用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准功能
- 带校准的内部 32 kHz RC
功耗
- 运行:128 µA/MHz(外设关闭)
- 停止(闪存处于停止模式,快速唤醒时间): 42 µA typ @ 25 °C;65 µA max @ 25 °C
- 停止(闪存处于深度掉电模式,唤醒时间慢):25 °C 时典型值降至 10 µA;25 °C 时最大值为 28 µA
- 待机:2.4 µA @ 25 °C / 1.7 V(无 RTC);12 µA @ 85 °C @ 1.7 V
- 用于 RTC 的 VBAT 电源:1 µA @25 °C
1×12 位、2.4 MSPS A/D 转换器:多达 16 个通道
通用 DMA:16 个流 DMA 控制器,带 FIFO 并支持突发
多达 81 个具有中断功能的 I/O 端口
- 所有 I/O 端口均可承受 5 V 电压
- 多达 78 个高达 42 MHz 的快速 I/O



STM32F103VET6 32 位单核 MCU 72MHz ARM 微控制器

描述
STM32F103VET6 集成了高性能 ARM® Cortex®-M3 32 位 RISC 内核(工作频率为 72 MHz)、高速嵌入式存储器(闪存高达 512 Kbytes,SRAM 高达 64 Kbytes)以及连接到两个 APB 总线的大量增强型 I/O 和外设。所有器件均提供三个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器和两个 PWM 定时器,以及标准和高级通信接口:多达两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、一个 SDIO、五个 USART、一个 USB 和一个 CAN。

特性
内核 ARM® 32 位 Cortex®-M3 CPU
最大频率 72 MHz,0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)
单周期乘法和硬件除法
内存
256 至 512 Kbytes 闪存
高达 64 Kbytes 的 SRAM
灵活的静态存储器控制器,带 4 个芯片选择。支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器
LCD 并行接口,8080/6800 模式
时钟、复位和电源管理
2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O
POR、PDR 和可编程电压检测器 (PVD)
4 至 16 MHz 晶体振荡器
内部 8 MHz 工厂微调 RC
带校准的内部 40 kHz RC
用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准功能
低功耗
睡眠、停止和待机模式
为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源
3 × 12 位、1 μs A/D 转换器(多达 21 个通道)
转换范围 0 至 3.6 V
三重采样和保持功能
温度传感器
2 × 12 位 D/A 转换器
DMA:12 通道 DMA 控制器
支持的外设:定时器、模数转换器、数模转换器、SDIO、I2S、SPI、I2C 和 USART
调试模式
串行线调试 (SWD) 和 JTAG 接口
Cortex®-M3 嵌入式跟踪宏单元
多达 112 个快速 I/O 端口
51/80/112 I/O,全部可映射到 16 个外部中断向量,几乎全部具有 5 V 容差
多达 11 个定时器
最多 4 个 16 位定时器,每个定时器最多 4 个 IC/OC/PWM 或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入
2 × 16 位电机控制 PWM 定时器,具有死区时间生成和紧急停止功能
2 × 看门狗定时器(独立和窗口)
SysTick 定时器:24 位下位计数器
2 × 16 位基本定时器,用于驱动 DAC
多达 13 个通信接口
最多 2 个 I2C 接口(SMBus/PMBus)
最多 5 个 USART(ISO 7816 接口、LIN、IrDA 功能、调制解调器控制)
最多 3 个 SPI(18 Mbit/s),2 个带 I2S 多路复用接口
CAN 接口(2.0B 有效)
USB 2.0 全速接口
SDIO 接口


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