ADN4694EBRZ高速M-LVDS收发器——STL26N60DM6（MDmesh™ DM6 MOSFET晶体管）

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明佳达电子，星际金华【供应，回收】ADN4694EBRZ高速M-LVDS收发器——STL26N60DM6（MDmesh™ DM6 MOSFET晶体管）。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

ADN4694EBRZ：3.3V、100MBPS、半双工、高速M-LVDS收发器
概述：ADN4694EBRZ：都是多点低电压差分信号(M-LVDS)收发器（驱动器和接收器对），工作速率最高可达100 Mbps (50 MHz)。驱动器输出端实施压摆率控制。接收器可在-1 V至+3.4 V的共模电压范围内利用低至50 mV的差分输入检测总线状态。总线引脚上提供最高可达±15 kV的ESD保护。
ADN4694EBRZ——产品属性：
类型：收发器
协议：LVDS，多点
驱动器/接收器数：1/1
双工：半
数据速率：100Mbps
电压 - 供电：3.3V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

STL26N60DM6：600V，15A，110W，MDmesh™ DM6 N 通道 MOSFET 晶体管
型号：STL26N60DM6
封装：PowerFlat™（8x8）HV
类型：MOSFET 晶体管
STL26N60DM6——产品属性：
系列：MDmesh™ DM6
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：215 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：940 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳：8-PowerVDFN