查看: 199|回复: 0

[供应] NOR 存储器:S25HL512TFANHI010,S25HS512TFAMHI010,S25FL512SAGBHBA10

[复制链接]
发表于 2024-11-25 10:52:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: S25HL512TFANHI010 , S25HS512TFAMHI010 , S25FL512SAGBHBA10
明佳达,星际金华 供求 NOR 存储器:S25HL512TFANHI010,S25HS512TFAMHI010,S25FL512SAGBHBA10



512Mbit 存储器芯片 S25HL512TFANHI010 166MHz FLASH NOR 存储器 IC 8-WDFN IC 芯片

产品描述
S25HL512TFANHI010 是一款非易失性存储解决方案,集成了汽车和工业系统的安全功能。

功能特点
针对存储器阵列和设备配置的传统块保护配置
基于单个内存阵列扇区的高级扇区保护
开机后可立即访问存储器阵列

166MHz 集成电路芯片 S25HS512TFAMHI010 闪存 NOR 存储器芯片 16-SOIC

产品描述
S25HS512TFAMHI010 是 512Mbit SPI - Quad I/O、FLASH - NOR 存储器 IC,封装为 16-SOIC,表面贴装。

特点
256 或 512 字节页面程序缓冲器
1024 字节(32 x 32 字节)OTP 安全硅阵列
SDR 选件高达 83 Mbps(166 MHz 时钟速度)
DDR 选件高达 102 Mbps(102 MHz 时钟速度)
扇区擦除状态指示器,显示擦除过程中的掉电情况

S25FL512SAGBHBA10 512Mbit NOR 存储器 IC 24-BGA IC 芯片

产品说明
S25FL512SAGBHBA10 是 FLASH - NOR 存储器 IC,512Mbit SPI - 四路 I/O,封装为 24-BGA (8x6)。

特性
具有多功能 I/O 的 3.0 V CMOS 内核
带多 I/O 的 SPI
密度:512 Mb(64 MB)
扩展寻址: 32 位地址
512 字节页面编程缓冲区

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表