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明佳达，星际金华供求 存储器：S80KS5123GABHI020，S27KS0642GABHM023，S27KS0642GABHB023
512Mbit SPI - 八进制 I/O 200MHz S80KS5123GABHI020 伪 SRAM 存储器 IC 24-FBGA
产品说明
S80KS5123GABHI020 器件提供八进制 SPI 接口，借鉴了并行和串行接口存储器的传统功能。
特点
相移时钟用于在读取数据眼内移动 RWDS 转换边沿
200MHz 最大时钟速率
DDR - 在时钟的两个边沿上传输数据
集成电路芯片 S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus 存储器 IC 24-VBGA
产品说明
S27KS0642GABHM023 存储器是一款高速、低引脚数、低功耗的自刷新动态 RAM (DRAM)，适用于需要扩展存储器用于刮板或缓冲的高性能嵌入式系统。
特性
混合选项--一个封装突发后是线性突发
可配置的输出驱动强度
电源模式
混合睡眠模式
深度掉电
ICs 芯片 S27KS0642GABHB023 200 MHz 35 ns 24-FBGA 表面贴装存储器 IC
产品描述
S27KS0642GABHB023 的时钟只要处于低电平状态，就可以在活动事务的任何部分停止。
功能特点
双向读写数据选通 (RWDS)
在所有事务开始时输出，指示刷新延迟
在读取事务期间作为读取数据选通输出
在写入事务期间作为写入数据屏蔽输入
可选的 DDR 中心对齐读取前导信号 (DCARS)
在读取事务期间，RWDS 从 CK 开始偏移第二个时钟相位
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发表于 2024-10-16 10:52:14