MOSFET晶体管NVTFS016N06CTAG，NTP095N65S3HF，NTHL160N120SC1

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60V MOSFET 晶体管 NVTFS016N06CTAG 集成电路芯片 8WDFN N 沟道

产品描述
NVTFS016N06CTAG 是 N 沟道单 FET MOSFET 晶体管，60V 8A (Ta)、32A (Tc)、2.5W (Ta)、36W (Tc)，表面贴装，封装为 8-WDFN (3.3x3.3)。

特性
漏极至源极电压 (Vdss)： 60 V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta 2.5W（Ta），36W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)

NTP095N65S3HF 650V 功率 N 沟道晶体管 TO-220-3

产品描述
NTP095N65S3HF 是高压超级结 (SJ) MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。

特性
700 V @ TJ= 150°C
典型值 RDS(on)= 82 m
100% 雪崩测试
超低栅极电荷（典型值 Qg= 66 nC）

N 沟道晶体管 NTHL160N120SC1 集成电路芯片 TO-247-3 SIC MOSFET

产品描述
NTHL160N120SC1 是碳化硅（SiC）MOSFET - EliteSiC，N 沟道单 FET 晶体管，160 欧姆，1200V，M1，封装为 TO-247-3L。

特性
典型值 RDS(on)= 160 m
超低栅极电荷 (QG(tot) = 34 nC)
低有效输出电容（Coss= 50 pF）
100% UIL 测试