XC7VX690T-L2FFG1158E可编程逻辑芯片，MA4E20431-287T低势垒射频肖特基二极管，S70GL02GS11FHI010并行NOR闪存芯片

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明佳达，星际金华 供应 XC7VX690T-L2FFG1158E可编程逻辑芯片，MA4E20431-287T低势垒射频肖特基二极管，S70GL02GS11FHI010并行NOR闪存芯片



现场可编程门阵列 XC7VX690T-L2FFG1158E 640MHz FPGA 可编程逻辑 IC

产品描述
XC7VX690T-L2FFG1158E 是现场可编程门阵列 IC，封装为 FCBGA-1158。

规格：
逻辑元件数量: 693120 LE
自适应逻辑模块 - ALM: 108300 ALM
嵌入式内存: 51.68 Mbit
输入/输出端数量: 350 I/O
电源电压-最小: 1.2 V
电源电压-最大: 3.3 V
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 100 C
数据速率: 28.05 Gb/s
收发器数量: 48 Transceiver
封装 / 箱体: FCBGA-1158
分布式RAM: 10888 kbit
内嵌式块RAM - EBR: 52920 kbit
最大工作频率: 640 MHz
湿度敏感性: Yes
逻辑数组块数量——LAB: 54150 LAB
工作电源电压: 1.2 V to 3.3 V

存储 IC 芯片 S70GL02GS11FHI010 2Gbit 并行 NOR 闪存芯片 BGA-64

产品描述
S70GL02GS11FHI010 是 2Gbit MIRRORBIT™ 闪存器件，采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该器件的快速页面访问时间为 25 ns，相应的随机访问时间为 110 ns。它具有一个写缓冲器，一次操作最多可对 256 个字/512 个字节进行编程，与标准的单字节/字编程算法相比，有效编程时间更短。

显著特点
具有多功能 I/O™ 的 3.0 V CMOS 内核
单个 64 球强化 BGA 封装中包含两个 1024 兆位 (S29GL01GS)
65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术
用于读取/编程/擦除的单电源 (VCC) (2.7 V 至 3.6 V)
多功能 I/O 功能
宽 I/O 电压 (VIO)： 1.65 V 至 VCC
×16 数据总线
16 字/32 字节页面读取缓冲区
512 字节编程缓冲区
以页面倍数编程，最大可达 512 字节
扇区擦除
统一的 128-KB 扇区
S70GL02GS: 248 个扇区
用于编程和擦除操作的暂停和恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法可确定设备状态
高级扇区保护 (ASP)
每个扇区的易失性和非易失性保护方法
独立的 1024 位一次性编程 (OTP) 阵列，有两个可锁定区域
每个设备都有 支持通用闪存接口 (CFI)