（APM永源微）AP50N06P/T、60V N沟道增强型MOS管、代替IRLZ24NPBF，IRLZ34NPBF，IRFZ24NPBF，IRFZ34NPBF

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AP50N06P/T
描述
AP50N06P/T采用先进的沟槽技术，可提供出色的R-D（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。

一般特征：
V-DS=60V，I-D=50A

R-DS（ON）<15mΩ@V-GS=10V

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