伟凌创芯EMI总代理商SRAM静态存储芯片SCLPSRAC1

发布时间:2022-7-21 17:32    发布者:英尚微电子
关键词: 伟凌创芯EMI , SRAM , 静态存储SRAM芯片 , SCLPSRAC1
目前针对不同的应用市场,SRAM产品的技术向高性能通信网络所需的高速器件发展,由于读写速度快,SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存,提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势,改善处理器性能有着积极的意义。以及降低功耗,以适应蓬勃发展的便携式应用市场。凡是需要快速存取数据的应用,特别是在要求初始存取等待时间很短的情况下,都会考虑使用sram.

国产SRAM厂家伟凌创芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM静态存储芯片,存储器容量大小为512Kbit。它在内部组织为64K字,每个字8位。该器件采用最先进的CMOS技术设计和制造,以提供高速性能和低功耗。

SCLPSRAC1工作温度范围:-40℃~+85℃,电源电压范围2.7V~3.6V,工作电流最大2mA@1MHz,待机电流最大15μA@25℃,具备SPI兼容接口,最大时钟频率20MHz。我司英尚微电子作为伟凌创芯EMI总代理商,可提供样品测试及产品相关技术支持。

在选择SRAM芯片时,会面对众多的选择方案。在某些场合,选择是有限的。许多已经确立了自己稳固地位的处理器都包含了支持特殊SRAM架构的存储控制器。新型处理器的设计则更灵活。为了决定最佳的可选方案,至关重要的是确定存储器子系统(即兆比特每秒、初始延迟、运行功耗、待机功耗、成本等等)的优先级以及系统的工作特性(读/写操作模式、工作频率等等)。
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