三极管的共射特性曲线详解

发布时间:2020-3-16 12:03    发布者:傲壹电子
【导读】三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压电流关系的曲线,它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能,是分析放大电路技术指标的重要依据。



液体电解电容的电介质为液态电解液,液态粒子在高温下十分活跃,对电容内部产生压力,它的沸点不是很高,因此可能会出现爆浆的情况,固态电容采用了高分子电介质,固态粒子在高温下,无论是粒子澎涨或是活跃性均较液态电解液低,它的沸点也高达摄氏 350 度,因此几乎不可能出现爆浆的可能性。从理论上来说,固态电容几乎不可能爆浆。

固态电容在等效串联阻抗表现上相比传统电解电容有更优异的表现,据测试显示,固态电容在高频运作时等效串联电阻极为微小,而且导电性频率特佳,具有降低电阻抗和更低热输出的特色,在 100KHz 至 10MHz 之间表现最为明显。




(5-3) 三极管的输入特性曲线如图5-6所示。由图5-6可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是:BE虽己大于零,但iB几乎仍为零,只有当uBE的值大于开启电压后,iB的值与二极管一样随uBE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V,发射结导通电压Von约为0.6~0.7v;锗晶体管的开启电压约为0.2v,发射结导通电压约为0.2~0.3v。


CE=0V,UCE=0.5V和UCE=1V的情况。当UCE=0V时,相当于集电极和发射极短路,即集电结和发射结并联,输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当UCE=1V,集电结已处在反向偏置,管子工作在放大区,集电极收集基区扩散过来的电子,使在相同uBE值的情况下,流向基极的电流iB减小,输入特性随着UCE的增大而右移。当UCE>1V以后,输入特性几乎与UCE=1V时的特性曲线重合,这是因为Vcc>lV后,集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走,对基区电子与空穴的复合影响不大,iB的改变也不明显。CE必须大于l伏,所以,只要给出UCE=1V时的输入特性就可以了。

2、输出特性曲线

输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下,集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系,即

(5-4) 三极管的输出特性曲线如图5-7所示。由图5-7可见,当IB改变时,iC和uCE的关系是一组平行的曲线族,并有截止、放大、饱和三个工作区。



1)截止区
IB=0持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏,发射结电压uBE<0,也是处于反偏的状态。由于iB=0,在反向饱和电流可忽略的前提下,iC=βiB也等于0,晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管,发射极和集电结都是反偏,在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是:处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0,该电流称为三极管的穿透电流,它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流,不受iB的控制,但受温度的影响。

(2)饱和区

在图5-4的三极管放大电路中,集电极接有电阻RC,如果电源电压VCC一定,当集电极电流iC增大时,uCE=VCC-iCRC将下降,对于硅管,当uCE降低到小于0.7V时,集电结也进入正向偏置的状态,集电极吸引电子的能力将下降,此时iB再增大,iC几乎就不再增大了,三极管失去了电流放大作用,处于这种状态下工作的三极管称为饱和。规定UCE=UBE时的状态为临界饱和态,图5-7中的虚线为临界饱和线,在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为:(5-1-4) 式中的ICS,IBS,UCES分别为三极管处在临界饱和态下的集电极电流、基极电流和管子两端的电压(饱和管压降)。当管子两端的电压UCE<UCES时,三极管将进入深度饱和的状态,在深度饱和的状态下,iC=βiB的关系不成立,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置会导电的状态下,在电路中犹如一个闭合的开关。三极管截止和饱和的状态与开关断、通的特性很相似,数字电路中的各种开关电路就是利用三极管的这种特性来制作的。

(3)放大区

三极管输出特性曲线饱和区和截止区之间的部分就是放大区。工作在放大区的三极管才具有电流的放大作用。此时三极管的发射结处在正偏,集电结处在反偏。由放大区的特性曲线可见,特性曲线非常平坦,当iB等量变化时,iC几乎也按一定比例等距离平行变化。由于iC只受iB控制,几乎与uCE的大小无关,说明处在放大状态下的三极管相当于一个输出电流受IB控制的受控电流源。上述讨论的是NPN型三极管的特性曲线,PNP型三极管特性曲线是一组与NPN型三极管特性曲线关于原点对称的图像。


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liuweihua1206 发表于 2020-7-30 11:07:59
很好的文章,谢谢分享
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