消费电子文章列表

应用在无人机领域中的30V电压N沟道MOSFET管-LNT029N030G

应用在无人机领域中的30V电压N沟道MOSFET管-LNT029N030G

N沟MOS晶体管是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)的一种,结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成 ...
2026年09月03日 10:25   |  
中低压MOS管   功率MOS管   N沟道MOS管   N沟道MOSFET  
面向智能边缘设备!VSC7424XJG-02、LCMXO2-4000HC-6TG144I和MLX75027RTC-ABA-210-TR特性全面了解

面向智能边缘设备!VSC7424XJG-02、LCMXO2-4000HC-6TG144I和MLX75027RTC-ABA-210-TR特性全面了解

在嵌入式系统设计的版图上,有一颗芯片独当一面的“单兵作战”,也有多颗芯片各司其职的“集团军协同”。今天我们把目光投向一个正在爆发的赛道——智能边缘感知设备。无论是工业机器人的视觉避 ...
2026年09月02日 18:02   |  
VSC7424XJG-02  
一款主打低功耗、高集成度和远距离传输的2.4GHz、GFSK无线收发芯片-RF298

一款主打低功耗、高集成度和远距离传输的2.4GHz、GFSK无线收发芯片-RF298

无线收发芯片的工作原理‌主要包括信号的发送和接收过程,通常涉及射频(RF)技术。无线收发芯片通过电磁波在空间中传播信息,实现远距离数据传输。这些芯片通常工作在特定的频段,如ISM频 ...
2026年09月02日 10:10   |  
无线芯片   无线接收芯片   无线发射芯片   无线收发芯片  

ADI HMC205参数与替代选型:HMC205采购及停产解决方案

ADI HMC205参数与替代选型:HMC205采购及停产解决方案在微波信号链中,ADI HMC205主要用于高频信号二倍频。对于已经使用HMC205的通信、测试仪器、VSAT及点对点无线设备项目,采购时真正需要确认 ...
2026年09月02日 08:51

ZCC14021 负压LDO替代ADP7185, LT1175

产品特性 超低 RMS 噪声:10µVRMS输出电流:500mA宽输入电压范围:-2.5V 至 -45V输出电压范围:-1.22V 至 -45V + VDO固定-5V,-3.3V,-2.5V,-1.8V 输出电压±1% 初始精度3uA 关断电流30& ...
2026年09月01日 17:51   |  
负压LDO   替代ADP7185   LT1175  
一款支持扩频调制、2×30W高效率Class-D立体声音频放大器-IML6602

一款支持扩频调制、2×30W高效率Class-D立体声音频放大器-IML6602

立体声音频放大器的核心作用是‌将微弱的左右双声道音频信号分别进行电压与功率放大,以低失真、高保真方式驱动对应扬声器,还原具有空间定位感的声场‌。其工作基于“双通道独立放大 ...
2026年09月01日 10:18   |  
音频放大器   D类音频放大器   音频功放芯片   模拟功放芯片  

ZCC3855 双通道多相同步降压控制器,替代LTC3855

ZCC3855双通道电流模式降压控制器,采用180°交错相位工作设计,有效缩减输入电容用料,大幅抑制电源噪声干扰,供电运行更洁净稳定。芯片支持4.5V~38V宽压输入,输出电压可调区间灵活,未启用差 ...
2026年08月31日 17:40   |  
替代LTC3855  
惠海原厂22.2V锂电设备升降压芯片H6801 支持5V9V12V15V20V转24V9A无刷电机稳压IC方案

惠海原厂22.2V锂电设备升降压芯片H6801 支持5V9V12V15V20V转24V9A无刷电机稳压IC方案

普通PD头如何给高压锂电设备快充?普通PD充电头电压档位有限,遇上多串高压锂电设备,要如何实现稳定快充?以筋膜枪举例,它内置24V无刷电机,6串2600mAh锂电,电池标称电压22.2V,额定输入20V1 ...
2026年08月31日 11:02

8:1 DC-DC工业级电源模块怎么选?半砖封装与CINCON替代SynQor方案

8:1 DC-DC工业级电源模块怎么选?半砖封装与CINCON替代SynQor方案在铁路设备、工业控制、通信电源以及高可靠性嵌入式设备中,DC-DC模块有一类需求比较特殊:输入电压变化范围很大,但PCB又不希 ...
2026年08月31日 09:07

WENTEQ AIP0140-29-2812输入保护低噪声放大器应用案例

WENTEQ AIP0140-29-2812输入保护低噪声放大器应用案例在1.2–1.6GHz射频接收系统中,LNA通常位于天线、滤波器之后,负责把微弱的射频信号进行低噪声放大,再送入混频器、接收机或后级信号处理电 ...
2026年08月28日 08:59
采用先进超结技术和降低开关损耗的650V超结功率MOS管-SSx65R070FR

采用先进超结技术和降低开关损耗的650V超结功率MOS管-SSx65R070FR

超结功率MOSFET,全称超级结金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种基于电荷平衡与横向耗尽原理设计的高压功率半导体器件。它通过在传统MOSFET的漂移区内构建交替排列的P型与N型柱状结构,成功突 ...
2026年08月27日 10:08   |  
高压MOS管   功率MOS管   超节功率MOS管   功率MOSFET  

Anritsu 33WWF50精密W1阳到W1阴连接器参数对比:选型时重点看这几个指标

Anritsu 33WWF50精密W1阳到W1阴连接器参数对比:选型时重点看这几个指标在1 mm毫米波测试系统里,连接器本身的尺寸并不大,但它对测试结果的影响却不能忽略。尤其是VNA、毫米波器件测试以及高频 ...
2026年08月27日 08:45

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