长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产，国产存储工艺跻身全球顶尖梯队

9月20日，2026世界制造业大会在安徽合肥开幕当日，长鑫科技旗下长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。这是国产DRAM企业在高端存储技术路线上的又一里程碑式突破，标志着中国存储芯片制造工艺已迈入全球顶尖量产节点行列。

据长鑫存储现场披露的技术细节，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先突破。该平台依托创新的四重曝光技术，将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。通过变革工艺流程并采用新材料，存储电容深宽比达到45:1。同时，长鑫存储开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小至6762纳米。研发过程中，公司还创造了独特的数字孪生系统，贯穿设计、开发、制造、维护的全生命周期研发过程，并在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破，加速了研发进程。

微缩工艺的突破直接推动存储密度实现跨越式提升。据长鑫存储介绍，G5平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%（均换算为8Gb颗粒基准统计），在产品能效与成本控制上均具备显著优势。这一指标意味着在同等晶圆面积下，可用芯片产出大幅增加，单位制造成本有望随之下降。

本次大会上同步展出的两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball与245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。值得注意的是，长鑫科技在当晚发布的公告中提示，截至公告披露日，基于G5平台的量产产品尚未形成规模销售，良率爬坡需要一定周期，新产品导入客户亦需经过验证与认证流程，短期内不会对公司经营业绩产生重大影响。

长鑫科技董事长朱一明此前在公司科创板上市路演中曾表示，公司始终坚持自主创新的发展道路，采取“跳代研发”策略，快速完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现了DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖和迭代。此次G5平台量产，使长鑫科技在不依赖极紫外光刻设备的情况下，将工艺特征尺寸推进至16纳米级别，客观上证明了深紫外浸没式光刻结合四重曝光技术在先进存储节点仍具备可行性。

当前全球DRAM市场高度集中，三星、SK海力士、美光合计占据超过90%的市场份额。长鑫科技产能规模已位居中国第一、全球第四。G5平台的量产及其带来的成本优化潜力，有望为全球存储市场供给格局注入新的变量。长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。