镓仁半导体氧化镓同质厚膜外延片通过西电器件验证，关键指标优于日本同类产品

杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）今日宣布，该公司生产的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的SBD器件制备与性能验证。本次验证所用的厚膜外延片外延层厚度为10μm、载流子浓度为1×10¹⁶cm⁻³，验证结果表明，该器件在耐压能力与导通特性上表现优异，核心参数达到国际先进水平，关键指标显著优于日本头部企业同类器件。这标志着我国大尺寸氧化镓同质外延材料在器件应用端取得了关键性突破。

作为衡量功率器件耐压能力的核心指标，击穿电压直接决定了器件的工作电压上限。验证数据显示，基于镓仁半导体厚膜外延片制备的无终端SBD器件击穿电压达到1090~1490V，显著优于日本头部企业同类产品。这一数据充分表明该外延片缺陷密度低、质量可靠，完全能够满足超高压、高功率器件的应用需求。同时，比导通电阻作为决定器件导通损耗的关键参数，其数值越低意味着器件工作时的能量损耗越小、转换效率越高。测试显示，该SBD器件比导通电阻为2.6~4.5mΩ·cm²，远低于日本头部企业同类产品，成功实现了导通损耗与耐压能力的平衡优化。



镓仁半导体表示，此次验证结果充分证明了基于其外延片制备的SBD器件综合性能优异，器件指标全面优于进口产品。目前，该氧化镓同质厚膜外延片已实现持续现货供应，可为下游器件的研发与量产提供稳定、即时的材料保障。

公开资料显示，杭州镓仁半导体有限公司是一家专注于超宽禁带半导体领域技术研发与产业化落地的氧化镓材料与设备解决方案提供商。公司核心产品涵盖2-8英寸氧化镓单晶与衬底、氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备，以及2-8英寸氧化镓同质外延片等，其中8英寸氧化镓单晶衬底与同质外延片均为国际首发，彰显了我国在第四代半导体材料领域的强劲实力。