第七届800V超充与三代半技术研讨会

https://q3.itc.cn/images01/20260519/d2e7521997254e789d93504bcef59cdd.jpeg第七届800V超充与三代半技术研讨会高压擎动，芯效突围时间：2026年6月12日，地点：深圳 登喜路国际大酒店主办单位：Big-Bit商务网协办单位：深圳市连接器行业协会、中国电源学会磁技术专委会，承办单位：《半导体器件应用》杂志、《国际线缆与链接》杂志、《磁性元件与电源》杂志会议介绍INTRODUCTION随着新能源汽车渗透率持续提升，补能效率与整车高压化成为产业关注的重点。800V高压平台与超充技术正加速落地，同时以SiC、GaN为代表的第三代半导体器件逐步走向规模化应用，推动充电设备、电驱系统与电源架构持续升级。在此背景下，第八届中国数字电源关键元器件应用创新峰会（华南站）特别设立分会场二：第七届800V超充与三代半技术研讨会，将于2026年6月12日在中国深圳举行。本次研讨会将围绕800V高压快充系统与第三代半导体技术展开，重点关注SiC、GaN器件在超充桩、电驱系统及高效率电源中的应用进展，并探讨高压架构下的功率器件选型、磁性元件设计、热管理及系统可靠性等关键技术问题。会议现场将通过主题演讲与技术交流等形式，邀请整车厂、充电设备企业及核心元器件厂商共同分享技术实践与产业趋势，为行业提供交流合作的平台，推动800V超充与第三代半导体技术的应用落地。会议亮点HIGHLIGHTS全天深度干货输出邀请上游器件与整机企业技术专家，共同探讨800V超充桩、电驱及OBC中SiC/GaN器件的并联均流、开关振荡、热管理与系统可靠性等工程难题。关键元器件一站选型组织SiC/GaN模块、驱动IC、高压连接器、液冷枪线等关键器件现场展示，并安排专场供需交流会，促进中下游企业与上游器件厂商的技术对谈及采购合作。供需精准匹配会前调研终端企业需求，定向匹配上游供应商资源，针对后续项目开发需求及研发痛点问题，现场进行技术交流，进行产品服务信息匹配，搭建高效交流平台，提升项目落地效率。https://q9.itc.cn/images01/20260519/33489e8c18824ad4a46d18f60e8866bd.jpeg议题方向DIRECTION800V 高压平台 SiC 车载 OBC 高效率小型化技术双向 OBC（V2G/V2L）拓扑与并网控制技术800V 高压平台下 SiC/GaN 宽禁带器件车载 DC-DC 应用优化全负载区间（轻载 / 满载）高效率拓扑与软开关技术研发车载 DC-DC 高功率密度集成化设计（平面磁件 / 多合一集成）车规级 DC-DC EMC 电磁兼容抑制与长期可靠性设计SiC MOSFET在800V车载 OBC（PFC+LLC)中的驱动设计与损耗优化研究双向CLLC谐振变换器在车载 V2G AC-DC 中的软开关实现与控制策略车载高压高频磁件小型化与高功率密度设计电驱系统磁集成技术与一体化磁件方案单极OBC拓扑（dab）技术/应用场景新型电路拓扑+OBC新材料https://q8.itc.cn/images01/20260519/014c63ccf3f145c4a3e5bfdecb5b47a2.jpeg演讲嘉宾GUEST特邀王正仕浙江大学副教授特邀张千帆哈尔滨工业大学教授特邀史来锋东风汽车集团有限公司研发总院新能源系统开发主任刘宏鑫珠海英搏尔电气股份有限公司电驱CTO