Marvell推出全球首款2nm定制SRAM

当地时间6月17日，Marvell Technology宣布推出业界首款基于2nm工艺的定制静态随机存取存储器（SRAM），旨在显著提升下一代AI加速器、云计算及数据中心芯片的性能与能效。该创新产品可提供高达6Gb的高速内存，同时减少66%的待机功耗，并节省15%的芯片面积，为AI基础设施带来突破性的性能优化。

行业最高带宽密度，赋能AI与云计算

Marvell的2nm定制SRAM采用先进的电路架构与台积电（TSMC）2nm制程技术，实现了3.75GHz的超高工作频率和6.4Gbit/s的传输速率，创下业界最高的每平方毫米带宽记录。这一突破使得芯片设计者能够：

节省15%的芯片面积，用于集成更多计算核心或扩展内存容量；

降低66%的待机功耗，大幅优化AI集群和数据中心的能效比；

提升3D堆叠芯片的互联效率，支持更复杂的异构计算架构。

定制化内存技术，突破后摩尔时代瓶颈

随着半导体工艺逼近物理极限，Marvell的定制SRAM技术成为突破传统内存架构的关键。Marvell定制云解决方案高级副总裁Will Chu表示：“定制化是AI基础设施的未来。超大规模企业目前用于开发尖端XPU的技术，未来将渗透至更广泛的设备与应用场景。”

该技术是Marvell“定制硅平台战略”的最新成果，此前该公司已推出CXL内存扩展技术和定制HBM（高带宽内存）方案，使AI加速器的内存容量提升33%。

全方位优化，推动AI算力升级

650 Group联合创始人Alan Weckel指出：“内存仍是AI集群和云计算的最大挑战。Marvell的解决方案不仅优化了芯片级内存性能，还通过3D同步双向I/O技术（6.4Gbit/s）提升了封装与系统层面的效率，为未来3.5D异构集成铺平道路。”

市场展望与行业影响

Marvell预测，到2028年，定制芯片将占据加速计算市场25%的份额。此次2nm SRAM的推出，进一步巩固了Marvell在AI基础设施半导体领域的领导地位，并为下一代高性能计算（HPC）、边缘AI和超大规模数据中心提供了关键技术支持。