德州仪器宣布600亿美元美国扩产计划 创本土半导体投资纪录

6月18日，德州仪器（Texas Instruments Inc., TI）正式宣布，将在未来数年内投入超过600亿美元，用于扩建其位于得克萨斯州和犹他州的半导体制造基地。这一投资规模刷新了美国成熟制程芯片制造领域的纪录，被视为对特朗普政府推动本土芯片制造政策的直接响应。

七座晶圆厂布局：覆盖300毫米产能与先进制程

根据计划，德州仪器将在得克萨斯州谢尔曼新建两座300毫米晶圆厂（SM3和SM4），并扩建已有工厂（SM1和SM2），使谢尔曼基地总投资额提升至400亿美元。其中，SM1已进入初步生产阶段，SM2外部结构完工，而SM3和SM4将聚焦未来需求。此外，犹他州李海基地的两座晶圆厂（LFAB1和LFAB2）也将获得重点投资：LFAB1已投产，LFAB2建设进展顺利，二者将共同支持65纳米至45纳米技术节点的模拟与嵌入式芯片生产。

在得克萨斯州理查森，德州仪器第二座300毫米晶圆厂RFAB2正持续提升产能，其基于全球首座300毫米模拟晶圆厂RFAB1的技术积累，将进一步巩固TI在工业、汽车和通信领域的优势。

政策与市场双驱动：税收优惠与供应链安全成关键

德州仪器此次投资正值美国政府强化半导体供应链安全之际。2024年12月，拜登政府依据《芯片与科学法案》向TI提供16.1亿美元补贴，支持其建设三处新设施。尽管特朗普政府曾对《芯片法案》提出批评，但德州仪器仍选择加速本土扩产。公司总裁兼首席执行官Haviv Ilan表示：“TI致力于构建可靠、低成本的300毫米产能，以满足全球对模拟和嵌入式处理芯片的需求。苹果、福特、SpaceX等客户均依赖我们的技术，这一投资将释放美国创新的潜力。”

值得关注的是，TI的扩产计划与客户需求高度绑定。例如，SpaceX明确表示，其星链（Starlink）卫星互联网服务正采用TI在谢尔曼制造的300毫米锗硅（SiGe）技术，以实现高速数据传输。此外，TI的模拟芯片广泛用于汽车电子、医疗设备和工业控制系统，其扩产被视为应对中国竞争对手在基础半导体领域崛起的重要举措。

行业趋势：半导体军备竞赛升级

德州仪器的扩产计划标志着美国半导体产业“回流”进入新阶段。除TI外，格罗方德、台积电和美光科技等企业也宣布了新增投资。例如，三星电子在得克萨斯州泰勒市投资370亿美元建设两座逻辑芯片厂，并获得47.45亿美元《芯片法案》补贴。分析人士指出，美国政府通过税收抵免和直接补贴，正试图重构全球半导体供应链，减少对亚洲产能的依赖。