全新LPD碳化硅三相全桥模块2.5nH超低电感惊艳亮相
2024年09月02日 11:04 发布者：Eways-SiC
全新LPD碳化硅三相全桥模块2.5nH超低电感惊艳亮相:该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势，性价比超国外产品，适用于电动汽车、氢能源汽车、高速电机驱动、光伏风能发电等领域。312384
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、无线电能传输等领域。
网友评论
Eways-SiC 2025年01月13日
碳化硅模块（全碳SiC功率模组）国产SiC Module - 工业/测控 https://www.eechina.com/thread-842540-1-1.html
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Eways-SiC 2025年02月12日
碳化硅MOSFET驱动设计合订本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取码8gxs
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Eways-SiC 2025年04月01日
基于双脉冲实验的Sic与IGBT特性对比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw :handshake
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Eways-SiC 2025年05月08日
碳化硅MOS驱动设计及特点(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957
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Eways-SiC 2025年06月10日
碳化硅 MOS驱动参考图及栅极驱动器（SiC第三代半导体） - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/654117118
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碳化硅MOS驱动设计及SiC栅极驱动器示例 - 模拟电子技术 - 电子工程网 https://www.eechina.com/thread-838162-1-1.html