东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET，有助于提高大电流设备的效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。



TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装，能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接，从而减小封装中源极线的电感，进而发挥MOSFET实现高速开关性能，抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z相比，其导通开关损耗降低了约68%，关断切换损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容，覆盖了低至65mΩ（最大值）的低导通电阻。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进，以减小设备尺寸并提高效率。

        应用
数据中心（服务器电源等）
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统

        特性
薄而小的表面贴装封装
采用4引脚封装，可以减少导通和关断的开关损耗。
最新的DTMOSVI系列

        主要规格

      器件型号  TK065U65Z  TK090U65Z  TK110U65Z  TK155U65Z  TK190U65Z
  封装  名称  TOLL
  尺寸典型值  9.9×11.68，厚度＝2.3
  （mm）
  绝对最大额定值  漏源电压  650
  VDSS（V）
  漏极电流  38  30  24  18  15
  （DC）
  ID（A）
  漏源导通电阻  0.065  0.09  0.11  0.155  0.19
  RDS(ON)最大值（Ω）
  @VGS＝10V
  栅极电荷总量  62  47  40  29  25
  Qg典型值（nC）
  栅漏电荷  17  12  11  8  7.1
  Qgd典型值（nC）
  输入电容  3650  2780  2250  1635  1370
  Ciss典型值（pF）
  结壳热阻  0.462  0.543  0.657  0.833  0.961
  Rth(ch-c)最大值（℃/W）
  常规系列（DTMOSIV）  -  -  -  TK20G60W  TK16G60W
  器件型号
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注：
具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
截至2021年3月10日，东芝测得的数值（测试条件：VDD＝400V，VGG＝+10V／0V，ID＝15A，Rg＝10Ω，Ta＝25℃）。
仅限TK090U65Z
截至2021年3月10日
仅限TK065U65Z
VDSS＝600V，D2PAK封装

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TK065U65Z
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TK090U65Z
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TK110U65Z
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TK155U65Z
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TK190U65Z
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