东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率
2021年03月12日 15:29 发布者:eechina
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。
TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
TOLL封装与最新DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。
应用
数据中心(服务器电源等)
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统
特性
薄而小的表面贴装封装
采用4引脚封装,可以减少导通和关断的开关损耗。
最新的DTMOSVI系列
主要规格
器件型号 TK065U65Z TK090U65Z TK110U65Z TK155U65Z TK190U65Z
封装 名称 TOLL
尺寸典型值 9.9×11.68,厚度=2.3
(mm)
绝对最大额定值 漏源电压 650
VDSS(V)
漏极电流 38 30 24 18 15
(DC)
ID(A)
漏源导通电阻 0.065 0.09 0.11 0.155 0.19
RDS(ON)最大值(Ω)
@VGS=10V
栅极电荷总量 62 47 40 29 25
Qg典型值(nC)
栅漏电荷 17 12 11 8 7.1
Qgd典型值(nC)
输入电容 3650 2780 2250 1635 1370
Ciss典型值(pF)
结壳热阻 0.462 0.543 0.657 0.833 0.961
Rth(ch-c)最大值(℃/W)
常规系列(DTMOSIV) - - - TK20G60W TK16G60W
器件型号
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注:
具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
截至2021年3月10日,东芝测得的数值(测试条件:VDD=400V,VGG=+10V/0V,ID=15A,Rg=10Ω,Ta=25℃)。
仅限TK090U65Z
截至2021年3月10日
仅限TK065U65Z
VDSS=600V,D2PAK封装
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TK065U65Z
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TK090U65Z
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TK110U65Z
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TK155U65Z
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TK190U65Z
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