功率器件国内龙头丽隽科技SPTC20R10 美林美深数据简介
浙江美林美深 2024-3-13 13:18
漏源电压 VGSS 栅源电压 ±30 ID 连续漏极电流 电流 ID @ Tc=100℃ 连续漏极电流 @ Tc=100℃ VGS 下脉冲漏极电流 =10V EAS 单脉冲雪崩能量 500mj 二极管峰值恢复 dv/dt 5.0 V/nsPD 功耗 14045w 25℃ 以上降额系数 1.12 0.37 W/℃TL 焊接最高温度 ...
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丽隽半导体代理 美林美深SPTC12R08 数据简介
浙江美林美深 2024-3-6 11:15
漏源电压 1500V VGSS 栅源电压± 30 连续漏极电流一个 VGS 下脉冲漏极电流 =10V EAS 单脉冲雪崩能量, L=30mH 500 mJPD 功耗 9035w 降额系数 25 ℃以上 0.72 0.28 W/ ℃ TL 焊接温度 距离外壳 1.6mm ,保持 10 秒 300 ℃ ISD 连续源电 ...
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丽隽半导体代理 美林美深SPTC12R04 数据简介
浙江美林美深 2024-3-6 10:38
类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 800V 连续漏极电流 (Id) 10A 功率 (Pd) 55W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 1.15 Ω @10V,4A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 30 连续漏极电流 10 电流 ID @ Tc=1 ...
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功率器件国内龙头丽隽科技PIPSPTC10R20美林美深数据简介
浙江美林美深 2024-3-1 15:27
类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 650V 连续漏极电流 (Id) 8A 功率 (Pd) 42W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 1.3 Ω @10V,4A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA 漏源电压 ( 注 *1)650v ID 连续漏极电流 8.0 8.0* ID@ ...
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丽隽半导体代理 美林美深SPTC10R20 数据简介
浙江美林美深 2024-2-28 16:52
类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 650V 连续漏极电流 (Id) 5A 功率 (Pd) 36W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 2.5 Ω @10V,2.5A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA 漏源电压 650 V VGSS 栅源电压± 30 ID 连续 ...
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丽隽半导体代理 美林美深 SPTC10R16数据简介
浙江美林美深 2024-2-28 14:09
漏源电压 (Vdss) 600V 连续漏极电流 (Id) 30mA 功率 (Pd) 500mW 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 700 Ω @0V,3mA 专有先进平面技术 耗尽模式 ( 正常开启 ) ESD 改进能力 坚固多晶硅栅极电池结构 切换速度快 通过无铅认证 无卤 ...
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PIP丽隽IGW40N120A美林美深
浙江美林美深 2024-2-27 17:19
商品目录 : IGBT 管 / 模块 IGBT 类型 : NPT( 非穿通型 ) 集射极击穿电压 (Vces) : 1.7kV 集电极电流 (Ic) : 75A 功率 (Pd) : 350W 集电极脉冲电流 (Icm) : 200A 栅 ...
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PIP丽隽IGC30N135A美林美深
浙江美林美深 2024-2-27 17:15
商品目录 : IGBT 管 / 模块 IGBT 类型 : NPT( 非穿通型 ) 集射极击穿电压 (Vces) : 1.7kV 集电极电流 (Ic) : 75A 功率 (Pd) : 350W 集电极脉冲电流 (Icm) : 200A 栅 ...
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