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- 替代英飞凌功率器件 PSx04N658 丽隽PIP代理美林美深科技数据简介
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浙江美林美深 2024-4-12 11:24
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 200V 连续漏极电流 (Id) 50A 功率 (Pd) 300W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 50m Ω @10V,20A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 20 ID 连续漏极电流 50 电流 ID @ ...
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个人分类: PIP|212 次阅读|0 个评论
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- 替代英飞凌功率器件 PTx06N65C 丽隽PIP代理美林美深科技数据简介
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浙江美林美深 2024-4-11 16:22
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 500V 连续漏极电流 (Id) 9A 功率 (Pd) 50W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 750m Ω @10V,5A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 30V ID 连续漏极电流 9.0 电流 ID @ ...
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个人分类: PIP|174 次阅读|0 个评论
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- 替代英飞凌功率器件 PTx10N65B 丽隽PIP代理美林美深科技数据简介
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浙江美林美深 2024-4-10 15:15
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 500V 连续漏极电流 (Id) 9A 功率 (Pd) 50W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 750m Ω @10V,5A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 30V ID 连续漏极电流 9.0 电流 ID @ ...
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个人分类: PIP|196 次阅读|0 个评论
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- PIP丽隽代理美林美深小功率PCC30D120 数据介绍
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浙江美林美深 2024-4-7 15:20
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 200V 连续漏极电流 (Id) 50A 功率 (Pd) 300W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 50m Ω @10V,20A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 20 ID 连续漏极电流 50 电流 ID @ ...
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个人分类: PIP|177 次阅读|0 个评论
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- 替代英飞凌功率器件PCC40D120丽隽PIP代理美林美深科技数据简介
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浙江美林美深 2024-4-2 17:24
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 200V 连续漏极电流 (Id) 50A 功率 (Pd) 300W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 50m Ω @10V,20A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 20 ID 连续漏极电流 50 电流 ID @ ...
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个人分类: PIP|154 次阅读|0 个评论
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- 替代英飞凌功率器件PCC18N120丽隽PIP代理美林美深科技数据简介
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浙江美林美深 2024-3-29 14:11
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 200V 连续漏极电流 (Id) 50A 功率 (Pd) 300W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 50m Ω @10V,20A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 20 ID 连续漏极电流 50 电流 ID @ ...
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个人分类: PIP|205 次阅读|0 个评论
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- 替代英飞凌功率器件PCC60N120丽隽PIP代理美林美深科技数据简介
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浙江美林美深 2024-3-26 14:30
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 650V 连续漏极电流 (Id) 10A 功率 (Pd) 65W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 850m Ω @10V,5A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA MOSFET 中的 ISM 脉冲源电流 40 VSD 二极管正向电压 1.5 ...
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- MOS管龙头企业丽隽半导体PIP PCC20D120美林美深产品简介
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浙江美林美深 2024-3-25 14:10
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 650V 连续漏极电流 (Id) 10A 功率 (Pd) 65W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 850m Ω @10V,5A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA MOSFET 中的 ISM 脉冲源电流 40 VSD 二极管正向电压 1.5 ...
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个人分类: PIP|167 次阅读|0 个评论
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- MOS管龙头企业丽隽半导体PIP PCC10D120美林美深产品简介
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浙江美林美深 2024-3-25 13:36
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 650V 连续漏极电流 (Id) 10A 功率 (Pd) 65W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 850m Ω @10V,5A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA MOSFET 中的 ISM 脉冲源电流 40 VSD 二极管正向电压 1.5 ...
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个人分类: PIP|59 次阅读|0 个评论
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- MOS管龙头企业丽隽半导体PIP PCC05D120 美林美深产品简介
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浙江美林美深 2024-3-21 16:57
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类型 N 沟道 漏源电压 (Vdss) 40V 连续漏极电流 (Id) 196A 功率 (Pd) 375W 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id) 1.5m Ω @10V,196A 阈值电压 (Vgs(th)@Id) 4V@250uA VGSS 栅源电压± 20 连续漏极电流 VGS @ 10V 345 ...
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个人分类: PIP|258 次阅读|0 个评论
