Nexperia | MOSFET 如何轻松应对传导损耗

发布时间:2023-9-25 08:09    发布者:刍狗
有四个主要元件可满足电池反向保护,分别是恢复整流二极管、肖特基整流二极管、P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。
在今天的演示中,我们将展示每种方法的实际应用,您可以详细了解 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 如何处理应用中的传导损耗。


本演示使用的功率 MOSFET 和整流二极管来自符合 AEC-Q101 标准且适用于汽车应用的产品组合。40V 功率 MOSFET 采用 LFPAK 5x6 铜夹片封装,二者均来自于 Nexperia(安世半导体)的广泛 N 和 P 沟道版本产品组合,在关键测试参数中,它们超出 AEC-Q101 测试两倍以上。买元器件现货上唯样商城!
本演示还包含来自铜夹片 FlatPower 封装中的整流器—— CFP5 和 CFP15,凭借数十年开发高性能封装解决方案所积累的专业知识,我们能够提供一系列具有出色热效率和电气效率的封装,从而支持要求最严苛的应用。
LFPAK 和 CFP 的独特铜夹片结构提供出色的稳健性和可靠性。如果与更传统的替代方案相比,还能够节省空间。经过测试的器件电流额定值使得封装非常适合要求最严苛的应用。

本文地址:https://www.eechina.com/thread-841633-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Discover浏览资源
  • Dev Tool Bits——使用条件软件断点宏来节省时间和空间
  • Dev Tool Bits——使用DVRT协议查看项目中的数据
  • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Data Visualizer进行功率监视
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表