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[供应] ADR423BR详细介绍

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发表于 2019-5-7 15:51:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
ADR423BR详细介绍

一般说明
      ADR423BR是超精密的第二代XFET基准电压源,具有低噪声,高精度和SOIC和Mini_SOIC封装的出色长期稳定性。获得专利的温度漂移曲率校正技术和XFET(eXtraimplanted结FET)技术可最大限度地降低电压随温度变化的非线性。 XFET架构为带隙基准提供了卓越的精度和热滞后。与Buried Zener参考相比,它还可以在更低的功率和更低的电源余量下运行。
      ADR423BR卓越的噪声,稳定和精确的特性使其成为光网络和医疗设备等精密转换应用的理想选择。 ADR423BR调整端子还可用于将输出电压调整在±0.5%范围内,而不会影响任何其他性能。 ADR423BR基准电压源提供两种电气等级,额定温度范围为-40℃至+ 125℃的扩展工业温度范围。器件采用8引脚SOIC-8或30%小型8引脚Mini_SOIC-8封装。

特征:
低噪音(0.1 Hz至10 Hz)
         ADR420:1.75μVp-p
         ADR421:1.75μVp-p
         ADR423:2.0μVp-pADR425:3.4μVp-p
低温系数:3 ppm / C.
长期稳定性:50 ppm / 1000小时
负载调节:70 ppm / mA
线路调节:35 ppm / V.
低滞后:40 ppm典型值
宽工作范围
          ADR420:4V至18V
          ADR421:4.5V至18V
          ADR423:5V至18V
          ADR425:7V至18V
静态电流:最大0.5 mA
高输出电流:10 mA
宽温度范围:-40C至+ 125℃

应用:
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪表
便携式医疗器械
工业过程控制系统
精密仪器
光网络控制电路

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