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一文了解IRFB11N50APBF
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
大小：138KB
描述：MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：520 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：52nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1423pF @ 25V
功率 - 最大：170W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRFB11N50APBF
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发表于 2019-3-27 16:14:53