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快速了解AON7200
一般描述
AON7200采用沟槽MOSFET技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Crss的极低组合，导通和开关损耗最小。
产品摘要
VDS30V ID（VGS = 10V）40A
RDS（ON）（VGS = 10V）<8m2
RDS（ON）（VGS = 4.5V）<11m62
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15.8A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10VVgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1300pF @ 15V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），62W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-DFN（3x3）
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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发表于 2019-3-15 15:44:14