东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电耦合器

发布时间:2014-9-10 14:02    发布者:eechina
关键词: 光电耦合
东芝推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。

新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比,新产品的高度仅为前者的54%,安装面积仅为前者的43%,有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低,但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压,适用于对绝缘规格要求较高的应用。

电气特性方面,新款光电耦合器拥有轨到轨输出,在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流,以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED,适用于多种应用,包括需要高度热稳定性的应用,例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

新产品主要规格 
产品型号
TLP5751
TLP5752
TLP5754
峰值输出电流
±1.0A
±2.5A
±4.0A
供电电压
15~30V
电源电流
3mA  (最大值)
阈值输入电流
4mA  (最大值)
传播延迟时间
150ns  (最大值)
传播延迟偏差
80ns  (最大值)
轨到轨输出
预装
VUVLO功能
预装
爬电距离
8mm  (最小值)
绝缘电压
5000Vrms  (最小值)
共模瞬态抗扰度
±35  kV/µsec
工作温度范围
-40~110  ºC
适用功率设备
低功率
中等功率
中等功率
IGBT(最高
IGBT(最高
IGBT(最高
20A级)和
80A级)和
100A级)和
功率MOSFET
功率MOSFET
功率 MOSFET


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