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STS4DNF60L (VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。
应用简介 ...
STP30NF20 (VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。
应用简介：STP30NF20适 ...
ST2341S23RG (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。
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SPD30P06PG (VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。 ...
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V；门源电压范围： ...
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)， ...
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门 ...
SI3442CDV (VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。
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Si2399DS-T1-GE3 参数： P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
应用简介： Si2399DS-T1 ...
Si2399DS-T1-GE3 参数： P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
应用简介： Si2399DS-T1 ...
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封 ...
1. 特点 宽输入电压范围：3.9V to 34V 可调节的输出电压范围：0.59V to 34V 峰值电流控制模式 集成 6V/3A 的 Mosfet 驱动 可通过 ILIM 脚设 ...
MS99x0T系列模拟前端(AFE)芯片包含3款：MS9920T、MS9930T、MS9940T, 分别Pin to Pin替换BQ76920、BQ76930、BQ76940。其中 MS9920T 最多支持 ...
目前基于ARM架构的处理器Fabless设计公司在安防、工控、汽车、移动通讯以及中低端消费电子市场占有绝对统治地位，如高通、MTK、瑞芯微、紫 ...
