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SiC MOSFET在Boost电路中的应用
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SiC MOSFET在Boost电路中的应用 资料来源：https://pan.baidu.com/s/1RrJq7MPGqHaJeCU45JZrrg提取码：etj8
摘要:第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率，减小重量和体积，降低制造成本。利用PSpico仿真软件测试SiCMOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了 SiC MOSFET的驱动电路，利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用，利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号，最后搭建实验电路。实验结果表明，SiC MOSFET的开关响应速度快，导通电阻小，开关损耗小，电路效率高。
摘要:第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率，减小重量和体积，降低制造成本。利用PSpico仿真软件测试SiCMOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了 SiC MOSFET的驱动电路，利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用，利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号，最后搭建实验电路。实验结果表明，SiC MOSFET的开关响应速度快，导通电阻小，开关损耗小，电路效率高。
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