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SiC MOS器件在Buck变换器中的应用
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SiC MOS器件在Buck变换器中的应用资料：https://pan.baidu.com/s/1iNE83IgDdy5TP-AWgqOErA 提取码3hv6摘要：第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、 工作频率高和工作温度高等优点，已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该文设计了一 种SiC MOSFET的驱动电路，利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性，以及驱动电阻对 SiC MOSFET的影响。搭建Buck实验电路，测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比 对应的负载电压，以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温。实验结果表明SiC MOSFET 比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小。
引言 随着电力电子与信息技术行业的快速发展，要 求电力电子装置体积小、功率密度大、效率高，因此 对功率器件的性能要求也越来越高13］。第三代功 率半导体器件中碳化硅MOSFET具有开关速度快、 禁带宽、功耗低、导通电阻小、功率密度大、工作频率 高和工作温度高等优点，因此受到国内外研究学者的青睐o该文针对SiC MOSFET设计了驱动电 路，利用仿真软件测试SiC MOSFET的开关特性以 及不同驱动电阻对开关时间的影响。最后使用SiC MOSFET和Si IGBT搭建Buck电路,分析对比不同 占空比对应负载电压的大小，以及不同输入电压和 开关频率对应的SiC MOSFET和Si IGBT器件的 壳温。
1驱动电路的设计 
引言 随着电力电子与信息技术行业的快速发展，要 求电力电子装置体积小、功率密度大、效率高，因此 对功率器件的性能要求也越来越高13］。第三代功 率半导体器件中碳化硅MOSFET具有开关速度快、 禁带宽、功耗低、导通电阻小、功率密度大、工作频率 高和工作温度高等优点，因此受到国内外研究学者的青睐o该文针对SiC MOSFET设计了驱动电 路，利用仿真软件测试SiC MOSFET的开关特性以 及不同驱动电阻对开关时间的影响。最后使用SiC MOSFET和Si IGBT搭建Buck电路,分析对比不同 占空比对应负载电压的大小，以及不同输入电压和 开关频率对应的SiC MOSFET和Si IGBT器件的 壳温。
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