Si2399DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
发布时间：2024-1-10 15:17
发布者：VBsemi
关键词：
Si2399DS-T1-GE3
Si2399DS-T1-GE3 参数： P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
应用简介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。 由于其低导通电阻（RDS(ON)），能有效降低导通损耗，在需要高效能转换的电路中表现出色。 常用于电源管理、DC-DC转换等电路中，如适配器、电池充电器等。 优势： Si2399DS-T1-GE3的主要优势包括：低导通电阻： 具有低的导通电阻，减少了功率损耗和热量产生。 可靠性： VBsemi是知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可靠性。 封装： 小型SOT23封装适合空间有限的设计。 适用模块： Si2399DS-T1-GE3 可用于手机充电模块中的DC-DC转换器电路。 在手机充电时，需要将输入电压（通常是5V或9V）转换为适合充电电池的电压。 MOSFET可以在这些转换器中用作开关，控制电流流向，实现高效的电能转换。 该型号的低导通电阻有助于减少转换损耗，提高充电效率，同时SOT23封装适合手机模块的小型设计要求。 |
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