东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率

发布时间：2023-7-13 18:07 发布者：eechina

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。

新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。

 应用
- 开关电源
- 电动汽车充电桩
- 光伏逆变器

 特性
- 业界领先[3]的低正向电压：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低反向电流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
- 低总电容电荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）

 主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）

产品型号	封装	绝对最大额定值					电气特性				库存查询与购买
		重复峰值反向电压VRRM（V）	正向DC电流		非重复峰值正向浪涌电流IFSM（A）		正向电压（脉冲测试）VF（V）	反向电流	总电容	总电容电荷QC（nC）
			IF(DC)（A）		非重复峰值正向浪涌电流IFSM（A）		正向电压（脉冲测试）VF（V）	（脉冲测试）IR（μA）	Ct（pF）	总电容电荷QC（nC）
				温度条件Tc（℃）	f＝50Hz（半正弦	方波，t＝10μs，Tc＝25℃	IF＝IF(DC)	VR＝650V	VR＝400V，f＝1MHz
					波，t＝10ms），		IF＝IF(DC)	VR＝650V	VR＝400V，f＝1MHz
					Tc=25℃		典型值	典型值	典型值	典型值
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5	在线购买
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9	在线购买
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12	在线购买
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17	在线购买
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22	在线购买
TRS10E65H			10	148	62	510		2	38	27	在线购买
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33	在线购买
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12	在线购买
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17	在线购买
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22	在线购买
TRS10V65H			10	145	54	510		2	38	27	在线购买
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33	在线购买

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率

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