并口FRAM与SRAM的比较
发布时间：2022-3-18 15:50
发布者：英尚微电子
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铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口FRAM与SRAM的比较。 并口FRAM vs SRAM 具有并行接口的FRAM与电池备用SRAM兼容，可以替代SRAM。通过用FRAM代替SRAM，客户可以期望以下优势。 1、降低总成本 使用SRAM的系统需要持续检查电池状态。如果用FRAM替换后，客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外，FRAM不需要电池插座和防回流二极管，同时省去二者的安装空间。FRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。 免维护：无需更换电池 设备小型化：可以减少最终产品的元器件数量 2、环保产品 废旧电池会成为工业废料。通过用FRAM替换SRAM +电池，可以减少备用电池。 减少电池处理 |
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