性能绝对过剩？DDR4内存发展技术解析

发布时间：2011-10-10 17:10 发布者：Liming

关键词： DDR4 , 内存

我们知道现在DDR3内存逐步发展，已经成为目前主流的选择，而且现在性能最高也达到了DDR3-2133，明年 DDR4内存将会出现，预计数据传输率将会从1600起跳，可以达到4266的水平，是DDR3的两倍。在很多人看来，内存已经很少给电脑性能带来太大帮助，DDR4内存是否性能过剩，成为末路黄花？目前还不好说，不管怎么样，技术总是要向前发展的。

今天我们就看到国外媒体有讨论DDR4内存的发展。有兴趣的朋友可以通过下面的文档进行了解。

现在Intel平台内存规格

DDR内存的发展趋势

此前JEDEC固态技术协会就正式宣布未来DDR4内存标准的关键技术，预计将会在2012年中，DDR4内存将会具备更高的性能，并且功耗方面更低。

DDR4技术特性全面展示

D-DR4针对未来服务器、笔记本、台式机、消费电子产品进行创新设计，并且具备诸多新的技术特性，首先传输率方面，DDR4将会有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度，而目前DDR3是是1.6 GT/s。同时DDR4还包括在DQ bus、更高的2667 Mhz数据传输率、Bank群组结构以及集成VrefDQ和增强的训练模式等等。

DDR4标准的技术规格

Bank群组结构是个8n预取群组结构，它可以使用两个或者四个Bank组，这允许DDR4内存在每个Bank群组单独被激活、读取、写入或刷新操作，这样可以带来更高的内存小了和带宽。

同时在电压方面，DDR4也进行了调整，预计它的VDDQ电压将会在1.2V，未来还会进一步下调。

除此之外还有以下特性将会被采用：

·提供三种数据宽度：x4, x8和x16

·新的JEDEC POD12接口标准（工作电压1.2V）

·DifferentialSignaling( 差分信号技术）

·新的终止调度：在DDR4中DQ bus可以转移终止到VDDQ，这样可以即时VDD电压降低的情况下也能保证稳定

·正常和动态的ODT：改进ODT协议，并且采用新的Park Mode模式可以允许正常终结和动态吸入终结，而不需要去驱动ODT Pin。

·突发长度和突发停止长度分别为8和4

· 数据遮掩

·DBI：可以降低功耗并且提升数据信号完整性

·新的数据总线CRC技术，可以进行传输过程中的错误侦测，特别对非ECC内存进行写入操作时有帮助。

·针对命令和地址总线的新的CA奇偶校验

·DLL关闭模式支持

为进一步推广和采用DDR4标准，JEDEC打算在公布标准以后，举办DDR4 Technical Workshop会议，更多信息将会在以后正式公布。

DDR4和DDR3内存结构对比

DDR4内存预计将在2012年发布，2015年取代DDR3

内存速度发展方向

DDR4内存功耗控制更合理

DDR4虽然性能提升了，不过在功耗方面，依然控制的比较理想，这给以后的笔记本等方案可以带来更长的电池续航时间。

DDR3、DDR4内存功耗对比DDR内存数据

DDR4通过相应技术降低待机和工作电流提供更长的电池续航时间

展望DDR4内存发展契机

那么回到最初的话题，DDR4能够给我们带来真正的好处和实惠呢？

主流DRAM发展蓝图

很明显，未来AMD“Graphics Core Next”GPU将具备X86内存寻址特性，换句话说就是可以和CPU一样调用系统内存，CPU通过MMU内存控制器访问内存，而GPU则是通过 IOMMU实现内存调用。这种新技术允许系统设备在虚拟内存中进行寻址，也就是将虚拟内存地址映射为物理内存地址，让实体设备可以在虚拟的内存环境中工作，这样可以帮助系统扩充内存容量，提升性能。所以未来将会受益于DDR4内存的高带宽特性。