NV-SRAM成为写日记应用程序的理想非易失性存储解决方案
发布时间：2020-12-23 15:01
发布者：英尚微电子
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RAID存储系统概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson，Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期描述为“廉价磁盘冗余阵列”。现在它已成为实现以下目的的冗余和并行性的数据存储方案的统称：与单个磁盘驱动器或“只是一堆磁盘”（JBOD）相比，具有更好的容错能力和更好的输入/输出（I/O）性能。RAID通常代表由许多存储磁盘组成的系统，服务器可以通过高速以太网或光纤通道（FC）介质访问这些存储磁盘。磁盘驱动器I/O速度是大多数存储系统中的主要性能瓶颈。通常RAID系统使用并行磁盘访问和高速缓存来提高读取和写入性能，同时使用冗余磁盘进行故障恢复以增强容错能力。 通常使用电池来备份RAID系统中的高速缓存（尤其是写高速缓存），以避免由于电源故障而丢失数据。在许多此类系统中，写日志用于在数据从主机传输到存储系统时跟踪数据，并允许快速系统恢复，以防在将数据提交到磁盘之前发生电源或磁盘故障。如果在进行写事务时断电，则会在加电时回读日志存储器以标识挂起的写操作。RAID控制器会不断访问日志以写入日志，因此写入日志功能需要具有高速和高耐久性的非易失性存储器。此外存储在该存储器中的数据的可靠性至关重要，因为在电源故障的情况下丢失该数据会导致存储系统的长时间停机。 NV-SRAM NV-SRAM（非易失性静态随机存取存储器）是具有SRAM接口的快速非易失性存储器。对NV-SRAM的所有读取和写入均由SRAM完成，这使其具有独特的能力以极高的速度执行无限的读取和写入操作。如果断电则保存在SRAM中的数据将被传输到与每个SRAM单元集成在一起的非易失性（NV）元件中。上电时数据自动传输回SRAM。高速和无限的写/读耐久性和高可靠性使NV-SRAM成为写日记应用程序的理想非易失性存储解决方案。 |
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