单片采样保持放大器LF198/298/398

发布时间:2011-4-18 10:59    发布者:circuit_share
关键词: LF198 , 保持放大器 , 单片采样
LF198/298/398是单片采样保持放大器,它利用BI-FET技术获得超高的直流(DC)精度,具有信号快速采样和低下降率。作为单位增益跟随器工作,DC增益精确度典型值为0.002%,采样时间低于6μs时达到0.01%。一个双极性输入级用于完成低失调电压和宽频带,一个信号输入端实现输入失调的调节而不会降低输入失调漂移的要求。宽的频带允许LF198/298/398内部包含1MHz反馈环路运算放大器,而不会出现不稳定问题。输入阻抗1010Ω允许将其用于高阻信号源而不会降低精度。在输出放大器中采用P沟道结型场效应管(JFET)与双极性器件结合,用一个1μF保持电容器时可获得5mV/分钟的低下降率。JFET与早期设计使用的MOS器件相比噪声低得多,并且高温稳定性好。整个芯片设计确保在保持模式下,不存在从输入到输出的直通,即使在信号等于电源电压时也是如此。LF198/298/398逻辑输入端是具有低输入电流的完全差分输入,允许直接连接TTL、PMOS、CMOS信号电平,差分阈值为1.4V。
LF198/298/398及LF198A/398A等的引脚排列如图所示。



内部框图:

本文地址:https://www.eechina.com/thread-62642-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表