Vishay推出的高速红外发射器,亮度提高30 %,且可消除多余的侧向辐照光

发布时间:2019-11-20 10:13    发布者:eechina
关键词: 红外发射器 , IR发射器
850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装,辐照强度达13 mW/sr,工作温度范围-40 °C至+110 °C  

Vishay推出新型2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm 0805表面贴装高速红外(IR)发射器系列---VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01,该系列器件是业内带侧光挡板的最小封装,扩充其光电产品组合。Vishay Semiconductors VSMY5850X01(850 nm)、VSMY5890X01(890 nm)和VSMY5940X01(940 nm)器件采用SurfLight™表面发射器芯片技术,辐照强度比前代器件提高30 %,工作温度范围-40 °C至+110 °C。

20191120_VSMY5850.jpg

传统PCB封装采用全透明环氧树脂内嵌发射器芯片,导致侧光在摄像图像中产生光晕。日前发布的红外发射器侧壁不透明,防止多余的侧向辐照光,不需要外部遮挡,如橡胶圈,从而简化设计,非常适合用于虚拟或增强现实应用的位置跟踪。

与全向发光的标准红外发射器不同,SurfLight VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01几乎所有光和功率都从芯片顶部发出。由于大部分光集中于表面,因此红外发射器辐照强度可达13 mW/sr,适用于接近传感器、光开关和小型光障。器件亮度半强角为± 60°,开关速度仅为7 ns,100 mA条件下正向电压低至1.6 V。

VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01符合严格的AEC-Q101标准,适用于汽车应用,仓储寿命为168小时,湿度敏感度等级达到J-STD-020标准3级。器件支持无铅(Pb)回流焊工艺,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

新型红外发射器现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

本文地址:https://www.eechina.com/thread-571249-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表