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双片不对称封装低压MOSFETs的优点

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发表于 2019-7-31 08:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
 VishayIntertechnology的通过AEC-Q101认证的SQJ202EP是一款双片不对称功率封装12VMOSFET,可在汽车应用的同步降压转换器中节省空间和电能。类似的VishaySQJ200EPMOSFET具有20V额定值。下面一起来看看文章的介绍。
  N沟道TrenchFET®器件把一颗高边和一颗低边MOSFET封装在一个5mmx6mmPowerPAK®双片不对称封装里。通过在不对称封装中集成两颗尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低,较小的高边MOSFET开关速度更快,Vishay为标准双器件提供了高性能替代品,可替换性能较低的标准双片器件,而标准器件不能为大电流、高频率同步降压转换器提供最优的MOSFET组合。
  相比于使用分立器件,SQJ200EP或SQJ202EP占用的电路板空间更少,能实现更小尺寸的PCB设计。
  该MOSFET可在+175℃高温下工作。SQJ202EP非常适用于总线电压低于8V的应用,并且在低边MOSFET提供3.3mΩ的极低最大导通电阻。
  20VSQJ200EP适合总线电压较高的应用,具有3.7mΩ的稍高的最大导通电阻。
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