查看: 1700|回复: 0

[提问] 新款600V功率MOSFET降低了导通和开关损耗 [复制链接]

ningxueqin (离线)
积分
1394
帖子
400
发表于 2019-7-17 17:10:15 |显示全部楼层
  VishayIntertechnology推出了第四代600VE系列功率MOSFET的首款器件:N沟道SiHP065N60E。下面具体来介绍一下。
  SiHP065N60E采用Vishay最新的节能E系列超级结技术构建,在10V栅源电压下具有0.066Ω的极低最大导通电阻,比VISHAY前一代600VE系列MOSFET低约30%。
  新的超级结技术还降低了栅极电荷:在10V下仅为49nC,比早期的E系列器件低44%。
  这意味着SiHP065N60E的品质因数(导通电阻和栅极电荷的乘积)比同类产品中最接近的竞争MOSFET低25%。新器件提供的传导和开关损耗的降低将帮助设计人员在功率因数校正电路和硬开关DC-DC转换器拓扑中实现更高的能量效率。
  此外,在100°C的外壳温度下,该MOSFET的额定最大连续漏电流为25A。SiHP065N60E:导通电阻降低30%。
  富昌电子[Future Electronics]是全球知名的[erp-power]等数百家全球知名半导体供应商,覆盖[开关稳压器]等众多产品线,热门料号包括[C1005X5R0J475K050BC]。富昌电子https://www.futureelectronics.cn
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
回顶部