具有高效率和低漏电流的MOSFET

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　　Nexperia推出使用类肖特基技术的NextPowerS3MOSFET系列，类肖特基技术使得MOSFET能提供的高效率和低尖峰性能，但没有肖特基二极管的高漏电流问题。这使得NextPowerS3器件特别适用于要求在高开关频率下具有高效率的应用。下面具体来了解一下。
　　近年来的趋势是创建更快的开关MOSFET，以降低开关损耗并提高开关电源的效率。然而，更快的开关可能会产生电压尖峰、栅极耦合毛刺和可能的直通，从而产生EMI和可靠性问题。一种普遍的解决方案是将肖特基或者类肖特基二极管集成到MOSFET中，以使反向恢复损耗最小化。
　　肖特基二极管的缺点是高漏电流，特别是在高温下，这会降低效率、缩短电池的寿命并降低制造过程中的缺陷筛选能力。
　　Nexperia的NextPowerS3系列结合了快速切换与软恢复，解决了上述各种问题，提高了效率和功率密度，同时保持了电压尖峰的控制并将漏电流限制在1μA以内。
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